George Smith Preis für Qing-Tai Zhao

27. Februar 2019

Auf der IEDM Tagung in San Francisco im Dezember 2019 der IEEE Electron Device Society (EDS) wurde der George E. Smith Award an Wissenschaftler des PGI 9 und der EPFL in der Schweiz für ihren Artikel “Negative Capacitance as Performance Booster for Tunnel FETs and MOSFETs: An Experimental Study” verliehen. Die Arbeit wurde in der Zeitschrift IEEE Electron Device Letters imOctober 2017 veröffentlicht (DOI: /10.1109/LED.2017.2734943). Dr. Gia V. Luong, Prof. Qing-Tai Zhao and Prof. Siegfried Mantl vom PGI 9 teilen den Preis zu gelichen Teilen mit den Kollegen der EPFL. In dem Artikel geht es um fortschrittliche Silizium-Nanodrahtbauelemente für zukünftige energieeffiziente Nanoelektronik.